فلش مموری کینگ استون DTSE9 – ظرفیت 32 گیگابایت
قبل از اینکه قصد معرفی محصول فلش مموری کینگ استون DTSE9 – ظرفیت 32 گیگابایت را داشته باشیم بهتر است که بدانیم فلش مموری چیست و چه نکاتی را باید موقع خرید به آن توجه کرد.
حافظه فلش به چه معناست؟
حافظه فلش یک تراشه حافظه غیر فرار یا پایدار(NV) است که برای ذخیره و انتقال داده ها بین رایانه شخصی (PC) و دستگاه های دیجیتال استفاده می شود.
این قابلیت را دارد که به صورت الکترونیکی برنامه ریزی و پاک شود. اغلب در فلش مموری USB و MP3 پلیر ، دوربین های دیجیتال و حافظه SSD یافت می شود.
حافظه الکترونیکی
حافظه ی فلش نوعی حافظه الکترونیکی قابل خواندن با قابلیت پاک شدن و برنامه ریزی (EEPROM) است، اما ممکن است یک دستگاه ذخیره کننده حافظه ی قابل-اجرای-مستقل مانند درایو USB نیز باشد.
EEPROM یک نوع حافظه ی داده است که از یک دستگاه الکترونیکی برای پاک کردن یا نوشتن داده های دیجیتال استفاده می کند. حافظه ی فلش یک نوع متمایز از EEPROM است که در بلوک های بزرگ برنامه ریزی و پاک می شود.
حافظه فلش از ترانزیستورهای گیت شناور برای ذخیره داده ها استفاده می کند. ترانزیستورهای گیت شناور یا گیت شناور MOSFET یا (FGMOS) شبیه MOSFET است که یک ترانزیستور برای تقویت یا تعویض سیگنال های الکترونیکی است.
ترانزیستورهای گیت شناور از نظر الکتریکی جدا شده و از یک گره شناور در جریان مستقیم (DC) استفاده می کنند. حافظه فلش مشابه MOSFET استاندارد است ، با این تفاوت که ترانزیستور به جای یک گیت دارای دو گیت است.
اولین فلش مموری و خالق آن
فلش مموری برای اولین بار در سال 1980 معرفی شد و توسط دکتر فوجیو ماسوئوکا، مخترع و مدیر سطح متوسط کارخانه در شرکت توشیبا (TOSBF) توسعه یافت.
دکتر فوجیو ماسوئوکا
فلش مموری به دلیل قابلیت پاک کردن یک بلوک از داده ها در یک ” فلش” نامگذاری شد. هدف دکتر ماسوکا ایجاد چیپ یا تراشه ی حافظه برای حفظ اطلاعات هنگامی که برق قطع میشود بود. دکتر ماسوکا همچنین نوعی حافظه معروف به SAMOS اختراع کرد و یک حافظه 1 مگابایتی DRAM توسعه داد.
در سال 1988، شرکت Intel اولین تراشه فلش تجاری نوع NOR ، که جایگزین تراشه حافظه فقط خواندنی (ROM) دائمی روی مادربردهای رایانه ی حاوی (BIOS) شد.
یک تراشه حافظه فلش از گیت های NOR یا NAND تشکیل شده است. NOR یک نوع سلول حافظه است که توسط اینتل در سال 1988 ایجاد شده است. رابط گیت NOR از گذرگاه داده و دسترسی تصادفی به هر مکان حافظه، پشتیبانی می کند. ماندگاری فلش NOR از 10000 تا 1،000،000 چرخه نوشتن یا پاک کردن است.
NAND یک سال پس از تولید NOR توسط توشیبا توسعه یافت. سریعتر است، هزینه کمتری نسبت به هر بیت دارد ، به تراشه کمتری نسبت به هر سلول نیاز دارد و انعطاف پذیری بیشتری دارد. عمر مفید یک گیت NAND تقریباً 100000 چرخه نوشتن یا پاک کردن است.
در فلاش گیت NOR هر سلول دارای یک انتهای متصل به خط بیت و انتهای دیگر متصل به یک زمین است. اگر یک خط “بالا”رود ، ترانزیستور به پایین آوردن خط بیت خروجی می کند.
ویژگی های فلش مموری
فلش مموری ویژگی های زیادی دارد. بسیار ارزان تر از EEPROM است و برای حافظه SS مانند RAM استاتیک (SRAM) به باتری نیاز ندارد. غیر فرار(NV) است، زمان دسترسی بسیار سریع دارد و در مقایسه با هارد دیسک از مقاومت بیشتری در برابر ضربه برخوردار است.
فلش مموری بسیار بادوام است و می تواند فشار شدید یا دمای شدید را تحمل کند. می توان از آن برای طیف وسیعی از وسایل الکترونی ها مانند دوربین های دیجیتال ، تلفن های همراه ، لپ تاپ ، PDA ها (دستیار دیجیتال شخصی) ، پخش کننده های صوتی دیجیتال و حافظه های (SSD) استفاده کرد.
ارزش خرید فلش مموری کینگ استون DTSE9 – ظرفیت 32 گیگابایت
بعد از مطالب مربوط به فلش مموری ها، قصد داریم تا فلش مموری کینگ استون DTSE9 – ظرفیت 32 گیگابایت را ببرسی کوتاهی کنیم و ببینیم آیا ارزش خرید دارد یا خیر.
این دستگاه طراحی خوب و جالب توجهی دارد. بدنه کاملا فلزی و شکیلی دارد.
سرعتی که شرکت کینگ استون برای انتقال توسط این محصول ارایه کرده تا 148 مگابایت بر ثانیه است که معمولا سرعت واقعی که توسط کاربر تجربه خواهد شد مقدار کمتری از این خواهد بود.
شما می توانید این فلش و یا بیشتر از آن را از سایت فلاپی خریداری نمایید. می توانید برای کسب اطلاعات بیشتر در واتس اپ با ما درارتباط باشید.
نقد و بررسیها0
هنوز بررسیای ثبت نشده است.